RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
27
43
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2245
2216
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Golden Empire CL11-11-11 D3-1600 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link