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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

総合得点
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Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 43
    周辺 37% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 8.2
    テスト平均値
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 13.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2245 left arrow 2216

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