RAM-Vergleich Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Gesamtnote

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

40 42

Rund um 5% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.5 13.3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.7 8.2

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2288 2348

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns