Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    40 left arrow 42
    Wokół strony 5% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.5 left arrow 13.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.7 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    40 left arrow 42
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 13.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 8.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2288 left arrow 2348
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania