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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
比较
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
总分
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
42
读取速度,GB/s
13.3
13.5
写入速度,GB/s
8.2
8.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2288
2348
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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