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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

総合得点
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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

総合得点
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 42
    周辺 5% 低遅延
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 8.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2288 left arrow 2348

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