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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    40 left arrow 42
    En 5% menor latencia
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.5 left arrow 13.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.7 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 42
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.3 left arrow 13.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 8.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2288 left arrow 2348

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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Memoria RAM
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