RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Note globale
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
42
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
40
42
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2288
2348
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link