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Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
48
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
48
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1804
2282
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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