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Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
48
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
48
34
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1804
2282
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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