RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
48
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
48
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
10.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1804
2282
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link