Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB

Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    34 left arrow 48
    Около -41% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    10.1 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.3 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    48 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.9 left arrow 10.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 9.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1804 left arrow 2282
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения