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Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
48
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
48
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
10.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1804
2282
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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