RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
71
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2319
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link