RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2319
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link