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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
71
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
34
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2319
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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