RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
71
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2319
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link