RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
77
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2970
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link