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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
73
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
3.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
73
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.2
8.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1004
2251
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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