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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
68
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
2,013.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
6400
Rund um 1.66% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
26
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
4,402.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
2,013.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
6400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
701
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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