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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
68
Autour de 62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,013.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
6400
Autour de 1.66% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR2
Latence dans PassMark, ns
26
68
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
4,402.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
2,013.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
6400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
701
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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