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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
68
左右 62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,013.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
6400
左右 1.66% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR2
PassMark中的延时,ns
26
68
读取速度,GB/s
12.8
4,402.8
写入速度,GB/s
9.0
2,013.5
内存带宽,mbps
10600
6400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
701
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB RAM的比较
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
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