Comparación de la memoria RAM Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Puntuación global

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 68

En 62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.0 2,013.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

10600 6400

En 1.66% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2143 701

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns