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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

総合得点
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 68
    周辺 62% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 2,013.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
    周辺 1.66% 高帯域
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 12.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 68
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 4,402.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 2,013.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 701

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