Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Pontuação geral

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Pontuação geral

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 68

Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.0 2,013.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

10600 6400

Por volta de 1.66% maior largura de banda

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Razões a considerar
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 12.8

Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Características principais

Tipo de memória

DDR3 DDR2
Latência em PassMark, ns

26 68
Velocidade de leitura, GB/s

12.8 4,402.8
Velocidade de escrita, GB/s

9.0 2,013.5
Largura de banda de memória, mbps

10600 6400

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2143 701

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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