RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
42
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2554
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link