RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2554
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link