RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2554
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link