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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2554
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
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