RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2554
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link