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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
59
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
4,833.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
2,123.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
731
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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