SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Unterschiede

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,123.3 left arrow 2,076.1
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    59 left arrow 59
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,723.5 left arrow 4,833.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,076.1 left arrow 2,123.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    741 left arrow 731
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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