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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
2,076.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
59
59
读取速度,GB/s
4,723.5
4,833.8
写入速度,GB/s
2,076.1
2,123.3
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
731
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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