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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 2,076.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 59
  • 読み出し速度、GB/s
    4,723.5 left arrow 4,833.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,076.1 left arrow 2,123.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    741 left arrow 731

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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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メモリRAM
Corsair VS2GB1333D4 2GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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