RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,123.3 left arrow 2,076.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    59 left arrow 59
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,723.5 left arrow 4,833.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,076.1 left arrow 2,123.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    741 left arrow 731

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
модули RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
модули RAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
модули RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
модули RAM