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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Puntuación global
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,123.3 left arrow 2,076.1
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 59
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,723.5 left arrow 4,833.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,076.1 left arrow 2,123.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    741 left arrow 731

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Memoria RAM
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Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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Memoria RAM
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