SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Unterschiede

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    59 left arrow 70
    Rund um 16% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,076.1 left arrow 1,672.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 5300
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    59 left arrow 70
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,723.5 left arrow 3,174.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,076.1 left arrow 1,672.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    741 left arrow 485
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RAM 1
RAM 2

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