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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
70
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
1,672.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
59
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
3,174.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
1,672.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
485
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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