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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
70
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
1,672.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
59
70
读取速度,GB/s
4,723.5
3,174.9
写入速度,GB/s
2,076.1
1,672.9
内存带宽,mbps
6400
5300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
485
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB RAM的比较
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
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