SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Note globale
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Note globale
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Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    59 left arrow 70
    Autour de 16% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,076.1 left arrow 1,672.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    6400 left arrow 5300
    Autour de 1.21% bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    59 left arrow 70
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,723.5 left arrow 3,174.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,076.1 left arrow 1,672.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    741 left arrow 485
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons