SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Pontuação geral
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    59 left arrow 70
    Por volta de 16% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,076.1 left arrow 1,672.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 5300
    Por volta de 1.21% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 70
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,723.5 left arrow 3,174.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,076.1 left arrow 1,672.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    741 left arrow 485
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RAM 1
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