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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

総合得点
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Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    59 left arrow 70
    周辺 16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,076.1 left arrow 1,672.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21% 高帯域
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 70
  • 読み出し速度、GB/s
    4,723.5 left arrow 3,174.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,076.1 left arrow 1,672.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    741 left arrow 485

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