SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    59 left arrow 70
    Wokół strony 16% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,076.1 left arrow 1,672.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    6400 left arrow 5300
    Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CE6 1GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    59 left arrow 70
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,723.5 left arrow 3,174.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,076.1 left arrow 1,672.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    741 left arrow 485
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania