RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
71
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3379
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link