RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
71
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3379
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link