RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3379
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link