Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Puntuación global
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Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,123.3 left arrow 1,470.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 3200
    En 2% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    53 left arrow 59
    En -11% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 53
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,833.8 left arrow 3,631.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,123.3 left arrow 1,470.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 3200
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    731 left arrow 583
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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