Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,123.3 left arrow 1,470.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 3200
    Intorno 2% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    53 left arrow 59
    Intorno -11% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 53
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,833.8 left arrow 3,631.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,123.3 left arrow 1,470.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 3200
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    731 left arrow 583
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RAM 1
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