Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,123.3 left arrow 1,470.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 3200
    Около 2% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    53 left arrow 59
    Около -11% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    59 left arrow 53
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,833.8 left arrow 3,631.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,123.3 left arrow 1,470.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 3200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    731 left arrow 583
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения