Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Note globale
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Note globale
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Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,123.3 left arrow 1,470.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    6400 left arrow 3200
    Autour de 2% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    53 left arrow 59
    Autour de -11% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    59 left arrow 53
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,833.8 left arrow 3,631.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,123.3 left arrow 1,470.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 3200
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    731 left arrow 583
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons