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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
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Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 1,470.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 3200
    周辺 2% 高帯域
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    53 left arrow 59
    周辺 -11% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 3,631.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 1,470.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 3200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 3-3-3-12 / 400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 583

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