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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1678
3049
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RAM 2
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