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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1678
3049
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